IPG20N10S436AATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPG20N10S436AATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.34 |
10+ | $1.198 |
100+ | $0.9344 |
500+ | $0.7719 |
1000+ | $0.6094 |
2000+ | $0.5688 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 16µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-10 |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 17A, 10V |
Leistung - max | 43W |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount, Wettable Flank |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 990pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | IPG20N |
IPG20N10S436AATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPG20N10S436AATMA1 PDF - EN.pdf |
IPG20N10S4-61 INFINEON
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
IPG20N10S4L-35 INFINEO
MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
MOSFET 2N-CH 8TDSON
MOSFET 2N-CH 8TDSON
IPG20N10S4L-35A INFINEO
INFINEON TDSON-8-4
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Infineon TDSON-8
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
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INFINEO DFN8
IPG20N10S4L-22 INFINEON
CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
2024/05/7
2024/01/25
2024/01/30
2024/03/19
IPG20N10S436AATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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